型号: | NSBC123JPDP6T5G | RoHS: | 无铅 / 符合 |
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制造商: | ON Semiconductor | 描述: | TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963 |
详细参数 |
数值 |
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产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
产品变化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
标准包装 | 8,000 |
系列 | - |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 2.2k |
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 47k |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA,10V |
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 300µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
频率 - 转换 | - |
功率 - 最大 | 339mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-963 |
供应商设备封装 | SOT-963 |
包装 | 带卷 (TR) |